收藏本站
HiPerFET TM
V DSS
I D25
R DS(on)
Power MOSFETs
N-Channel Enhancement Mode
Avalanche Rated, High dv/dt, Low t rr
Preliminary data
IXFK72N20
IXFK80N20
200 V 72 A 35 m W
200 V 80 A 30 m W
t rr ￡ 200 ns
Symbol
Test Conditions
Maximum Ratings
TO-264 AA
V DSS
V DGR
T J = 25 ° C to 150 ° C
T J = 25 ° C to 150 ° C; R GS = 1 M W
200
200
V
V
V GS
V GSM
I D25
Continuous
Transient
T C = 25 ° C
72N20
80N20
± 20
± 30
72
80
V
V
A
A
G = Gate
S = Source
G
D
S
D = Drain
TAB = Drain
(TAB)
I DM
T C = 25 ° C,
pulse width limited by T JM
72N20
80N20
288
320
A
A
I AR
E AR
dv/dt
T C = 25 ° C
T C = 25 ° C
I S ￡ I DM , di/dt ￡ 100 A/ m s, V DD ￡ V DSS ,
T J ￡ 150 ° C, R G = 2 W
74
45
5
A
mJ
V/ns
P D
T J
T JM
T stg
T L
M d
T C = 25 ° C
1.6 mm (0.063 in) from case for 10 s
Mounting torque
360
-55 ... +150
150
-55 ... +150
300 -
0.9/6
W
° C
° C
° C
° C
Nm/lb.in.
Features
? International standard packages
? Molding epoxies meet UL 94 V-0
flammability classification
? Low R DS (on) HDMOS TM process
? Unclamped Inductive Switching (UIS)
rated
? Fast intrinsic rectifier
Weight
10
g
Applications
Symbol
Test Conditions
Characteristic Values
(T J = 25 ° C, unless otherwise specified)
min. typ. max.
?
?
?
DC-DC converters
Synchronous rectification
Battery chargers
V DSS
V GS(th)
I GSS
I DSS
V GS = 0 V, I D = 1 mA
V DS = V GS , I D = 4 mA
V GS = ± 20 V DC , V DS = 0
V DS = 0.8 ? V DSS
V GS = 0 V
T J = 25 ° C
T J = 125 ° C
200
2
4
± 100
200
1
V
V
nA
m A
mA
? Switched-mode and resonant-mode
power supplies
? DC choppers
? Temperature and lighting controls
Advantages
V GS = 10 V,I D = 0.5 ? I D25
R DS(on)
72N20
80N20
Pulse test, t ￡ 300 m s, duty cycle d ￡ 2 %
35
30
m W
m W
? Easy to mount
? Space savings
? High power density
IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.
? 2000 IXYS All rights reserved
97523C (07/00)
1-4
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
IXFK80N50Q3 MOSFET N-CH 500V 80A TO-264
IXFK88N20Q MOSFET N-CH 200V 88A TO-264
IXFK90N20 MOSFET N-CH 200V 90A TO-264AA
IXFK90N30 MOSFET N-CH 300V 90A TO-264
IXFL100N50P MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264
IXFL30N120P MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK
IXFL32N120P MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK
IXFL34N100 MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264
相关代理商/技术参数
IXFK80N20Q 功能描述:MOSFET 80 Amps 200V 0.03 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK80N20S 制造商:未知厂家 制造商全称:未知厂家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 200V V(BR)DSS | 80A I(D) | TO-264SMD
IXFK80N50P 功能描述:MOSFET 500V 80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK80N50Q3 功能描述:MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/80A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK80N60P3 功能描述:MOSFET 600V 80A 0.07Ohm PolarP3 Power MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK88N20Q 功能描述:MOSFET 88 Amps 200V 0.028W Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK88N30P 功能描述:MOSFET 88 Amps 300V 0.04 Rds RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IXFK90N20 功能描述:MOSFET 200V 90A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube